Выбери любимый жанр

Выбрать книгу по жанру

Фантастика и фэнтези

Детективы и триллеры

Проза

Любовные романы

Приключения

Детские

Поэзия и драматургия

Старинная литература

Научно-образовательная

Компьютеры и интернет

Справочная литература

Документальная литература

Религия и духовность

Юмор

Дом и семья

Деловая литература

Жанр не определен

Техника

Прочее

Драматургия

Фольклор

Военное дело

Последние комментарии
оксана2018-11-27
Вообще, я больше люблю новинки литератур
К книге
Professor2018-11-27
Очень понравилась книга. Рекомендую!
К книге
Vera.Li2016-02-21
Миленько и простенько, без всяких интриг
К книге
ст.ст.2018-05-15
 И что это было?
К книге
Наталья222018-11-27
Сюжет захватывающий. Все-таки читать кни
К книге

Электроника в вопросах и ответах - Хабловски И. - Страница 55


55
Изменить размер шрифта:

Рис. 7.28. Катодный (а) и эмиттерный (б) повторители

Входное сопротивление эмиттерного повторителя выражается формулой Zвх ~= h21эRэ, из которой следует, что оно равно сопротивлению в цепи эмиттера, умноженному на коэффициент передачи по току транзистора. Это не означает, что входное сопротивление может достигать произвольно большого значения за счет увеличения значения . Максимальное входное сопротивление не может превышать сопротивления база — коллектор, равного 1/h22б. Кроме того, делитель в цепи смещения базы, вносящий на вход сопротивление = R1R2(R1 + R2), также уменьшает эффективное входное сопротивление повторителя.

Одним из эффективных методов увеличения входного сопротивления эмиттерного повторителя является увеличение коэффициента передачи транзистора по току h21э. В транзисторных схемах благодаря токовому характеру возбуждения (управления) транзистора это оказывается возможным в схеме «супер-альфа», называемой также схемой Дарлингтона. В этой схеме (рис. 7.29) ток эмиттера первого транзистора управляет базой второго транзистора, в связи с чем результирующий коэффициент передачи тока h21э равен произведению h'21эh''21э отдельных-транзисторов: h21э = h'21эh''21э. Для большего числа транзисторов, работающих в схеме Дарлингтона, h21э = h'21эh''21эh'''21э… На рис. 7.29 представлен эмиттерный повторитель, собранный по подобной схеме.

Рис. 7.29. Эквивалентная схема (а) и эмиттерный повторитель (б) схемы «суперальфа»

В соответствии с предыдущими рассуждениями его входное сопротивление выражается следующей формулой:

Zвх = h'21эh''21эh21к

Что такое дифференциальный усилитель?

Дифференциальный усилитель — это усилитель на двух транзисторах с эмиттерной связью, позволяющей использовать в любых комбинациях несимметричные или симметричные вход и выход.

Принципиальная схема дифференциального усилителя, в котором выходное напряжение равно разности двух входных сигналов, показано на рис. 7.30.

Рис. 7.30. Дифференциальный усилитель с двумя входами и симметричным выходом:

а — принципиальная схема; б — схема с дополнительными эмиттерными резисторами.

На базы обоих транзисторов несимметрично подаются два напряжения u11 и u12. Выходное напряжение u2 представляет собой разность потенциалов, действующих на коллекторах транзисторов. Это напряжение симметрично. Дифференциальный усилитель используется для усиления только разности входных напряжений, а не самих входных напряжений.

Коэффициент усиления схемы, определяемый как отношение напряжения u2 к разности u12u11, выражается, при допущении идентичности транзисторов, следующей формулой:

Кu ~= — /h11б

Путем использования дополнительных эмиттерных резисторов можно уменьшить чувствительность усиления к разбросу значений h11б. В этом случае

Кu ~= — /h11б + ~= — /

причем последнее приближение справедливо, если  >> h11б. Следует подчеркнуть, что усиление схемы полностью не зависит от сопротивления резистора RF. Однако, с другой стороны, чем больше сопротивление, тем лучше коэффициент редукции суммарного сигнала на выходе схемы. В противоположность дифференциальному (разностному) сигналу суммарный сигнал является паразитным сигналом, зависящим от общей составляющей входного напряжения. Теоретически эта составляющая не появляется на выходе. В действительности из-за внутренней несимметрии схемы дифференциального усилителя составляющая существует. Для увеличения коэффициента редукции суммарного сигнала следовало бы увеличивать сопротивление резистора RF. В реальных условиях это не всегда возможно. Поэтому вместо резистора RF можно использовать дополнительный транзистор в схеме идеального генератора тока или источника с бесконечно большим внутренним сопротивлением (рис. 7.31, а). В этом случае практическое сопротивление резистора RF равно выходному сопротивлению транзистора в схеме с ОБ

RF ~= 1/h22б

Дифференциальный усилитель может также работать и в других схемах управления по входам и отбора сигнала на выходе, на рис. 6.31, б представлена схема с одним несимметричным входом и симметричным выходом. Схема такого типа может быть использована в качестве симметрирующей схемы. Еще одна схема (рис. 7.31, в) служит для преобразования симметричного входного сигнала в несимметричный выходной сигнал. Эта схема характеризуется наличием двух входов и одного несимметричного выхода.

Рис. 7.31. Дифференциальные усилители с питанием от источника тока (а), с одним асимметричным входом и с симметричным выходом (б) и с двумя входами и асимметричным выходом (в)

Где применяют дифференциальные усилители?

Дифференциальные усилители нашли применение в технике интегральных микросхем при создании многокаскадных усилительных схем. Техника интегральных микросхем позволяет получать транзисторы и резисторы с очень хорошей воспроизводимостью. Благодаря этому сохраняется симметрия дифференциальных усилителей, являющаяся основой автоматической компенсации дрейфа, заключающейся в вычитании дрейфов двух симметричных трактов усиления. В этом случае проблема дрейфа имеет принципиальное значение, поскольку в интегральных микросхемах обычно применяется непосредственная связь последовательных каскадов дифференциальных усилителей. Этот вид связи устраняет проблему пропускания низких частот, связанную с конденсаторами связи. Использование конденсаторов с большой емкостью, а следовательно, и с большими геометрическими размерами свело бы на нет все преимущества малых габаритных размеров интегральных микросхем.

В интегральных микросхемах вместо резисторов RF в эмиттерной цепи дифференциальных усилителей, которые показаны в схемах на рис. 7.30 и 7.31,б и в, обычно используется третий транзистор, как показано на рис. 7.31, а.