Электроника в вопросах и ответах - Хабловски И. - Страница 22

uбэ = h11б·iэ = (1 + h21э)·h11б·iб;

uкэ = iк·Rк

Тогда усиление по напряжению

КUЭ = uкэ/uбэ = h21э·Rк/h11э ~= Rк/h11б

а усиление по току, как уже было известно, равно КIЭ = h21э

Входное сопротивление

rвх ~= (1 + h21э)·h11б ~= h11э

включено параллельно Rб.

Основные свойства схемы ОЭ в сравнении со схемами ОБ и ОК можно свести к следующим: большое усиление по напряжению (возможно не менее 1000), большое усиление по току (возможно не менее 30), очень большое усиление по мощности (возможно не менее 30 000), среднее входное сопротивление (около 2 кОм), среднее или большое выходное сопротивление (примерно 100 кОм).

Какие статические характеристики транзистора в схеме ОЭ?

Типичными статическими характеристиками транзистора в схеме ОЭ являются: выходная характеристика рис. 4.13, а — зависимость тока коллектора Iк от напряжения при постоянном напряжении Uбэ или токе Iб[12] и входная характеристика (рис. 4.13, б) — зависимость тока базы Iб от напряжения Uбэ при постоянном напряжении Uкэ, выбранном в качестве параметра.

Рис. 4.13. Статические характеристики транзистора в схеме ОЭ:

а — выходные; б — входные

Как видно из выходных характеристик, ток коллектора начинает появляться уже при очень небольших значениях напряжения Uкэ, смещающего коллекторный переход в запирающем направлении, и быстро достигает значения, выше которого возрастает уже незначительно. При токе базы, равном нулю, в цепи коллектора протекает обратный ток коллектора

Iкэо = Iкбо/(1 — h21б)

Из выходной характеристики можно легко определить коэффициент передачи по току в схеме ОЭ h21э как отношение приращения тока коллектора ΔIк к приращению тока базы ΔIб при постоянном напряжении коллектор — эмиттер (Uкэ = const), т. е. для ΔUкэ = 0. Получим

Из характеристики транзистора, работающего в схеме ОЭ, можно также определить h11э и h22э:

Что такое схемы с общим коллектором и каковы ее свойства?

Транзисторную схему с общим коллектором (ОК) часто называют эмиттерным повторителем. Входной сигнал подводится между базой и коллектором, а нагрузка включается между эмиттером и коллектором (рис. 4.14, а). Физическая модель (эквивалентная схема ОК) представлена на рис. 4.14, б. Для эмиттерного повторителя справедливы следующие соотношения:

h11к = h11э; h12к ~= 1; h21к = — h21э; h22к ~= h22э ~= h21э·h22б;

Рис. 4.14. Транзистор в усилительной схеме ОК (а) и физическая модель транзистора, работающего в схеме ОК (б)

Основные свойства схемы ОК по сравнению со схемами ОБ и ОЭ сводятся к следующему: большое усиление по току (возможно примерно 30), усиление по напряжению меньше единицы, малое усиление по мощности (примерно 30), очень большое входное сопротивление (возможно 2 МОм), очень малое выходное сопротивление (не более 200 Ом).

Какая разница в свойствах схем ОБ, ОЭ, ОК?

Схемы ОБ, ОЭ, ОК отличаются входным и выходным сопротивлениями, усилением по напряжению, току и мощности. Численное значение каждого из этих параметров зависит от типа транзистора и условий его работы. Наибольшее усиление по мощности в каждой из схем достигается при согласовании транзистора, с одной стороны, с источником сигнала и, с другой стороны, — с нагрузкой.

Наибольшее входное сопротивление достигается в схеме с ОК, наименьшее в схеме ОБ. Что касается выходного сопротивления, то ситуация обратная: наибольшее сопротивление можно получить в схеме ОБ, наименьшее — в схеме ОК. Коэффициент усиления по напряжению в схемах ОБ и ОЭ почти одинаков (возможно 1000), а в схеме ОК он меньше единицы. Наибольшее усиление по мощности достигается в схеме ОЭ (можно получить несколько десятков тысяч), наименьшее — в схеме ОК (несколько десятков). Наибольшую рабочую частоту для данного транзистора можно получить в схеме ОБ. Она определяется частотой fh11 и в h21э раз больше предельной частоты fгр схемы ОЭ.

Существенной особенностью схемы ОЭ является переворачивание фазы сигнала. Это основано на том факте, что в случае нагрузки схемы резистором фаза выходного сигнала перевернута на 180 относительно фазы входного. В схемах ОБ и ОК переворачивание фазы сигнала отсутствует.

Что такое рабочая или нагрузочная характеристика транзистора?

Это уравнение прямой, выражающее зависимость тока коллектора от напряжения на нем при определенных значениях напряжения источника питания и сопротивления нагрузки. По характеристике можно определить мгновенные значения напряжений и токов при возбуждении входной цепи управляющим сигналом.

При построении рабочей характеристики используются статистические характеристики транзистора, которые, как известно, снимаются в измерительной схеме без сопротивления нагрузки и без управляющего входного колебания.

Наличие сопротивления нагрузки приводит к возникновению падения напряжения на этом сопротивлении за счет постоянной составляющей выходного тока, а подключение источника управляющего напряжения вызывает как изменение протекающего через транзистор тока, так и дополнительное падение напряжения на сопротивлении нагрузки. Связь между токами и напряжениями в этом случае определяется именно рабочей характеристикой.

При определении рабочей (нагрузочной) характеристики при усилении переменных колебаний следует учитывать фактическое сопротивление нагрузки, которое для переменного тока может иметь другое значение, чем для постоянного тока.

Что можно сказать о рабочей характеристике схемы ОБ?

Усилитель, работающий в схеме ОБ, представлен на рис. 4.10, а, а выходные характеристики Iк = f(Uкб) для Iэ = const — на рис. 4.15.

Для выходной цепи можно записать следующее уравнение:

IкRк + Uкб = Ек

которое говорит о том, что сумма падений напряжения на сопротивлении Rк и на переходе коллектор — база должна быть численно равна напряжению источника питания. Для Rк = 2 кОм и Ек = 12 В на основании этого уравнения получим два крайних значения: Uкб = 0, если Iк = 6 мА, и Uкб = 12 В, если Iк = 0.