Большая Советская Энциклопедия (ЭЛ) - Большая Советская Энциклопедия "БСЭ" - Страница 77

Основные характеристики ЭВМ единой системы

Параметры ЭВМ Тип ЭВМ, страна-изготовитель, год разработки ЕС-1010 ЕС-1020 ЕС-1021 ЕС-1030 ЕС-1040 ЕС-1050 ЕС-1022 ЕС-1032 ЕС-1033 ЕС-1060 ВНР, 1972 СССР, 1971 ЧССР, 1972 СССР, ПНР, 1971 ГДР, 1971 СССР, 1972 СССР, 1975 ПНР, 1975 СССР, 1977 СССР, 1977 Процессор: производительность, тыс. операций в 1 сек 10 20 40 100 350 500 80 200 200 2000 разрядность 18 8 64 32 64 64 8 32 32 64 Оперативная память: ёмкость, кбайт 8—64 64—256 16—64 256—512 128—1024 256—1024 128—512 128—1054 512—1024 2048—8192 цикл обращения, мксек 1,0 2,0 2 1,25 1,00 1,25 2 1,2 1,25 0,65 Селекторные каналы: количество 1 2 2 3 6 6 2 3 3 2 скорость передачи, кбайт/сек 200 800 250 800 1250 1250 500 1100 800 1300 Мультиплексный канал: скорость передачи, кбайт/сек : монопольный режим 200 100 220 300 670 670 300 470 350 670 мультиплексный режим 30 16 35 40 110 110 40 145 70 110 число разделённых подканалов 135 128 128 128 192 192 128 196 256 224 Потребляемая мощность, ква 12 21 13 27 60 100 25 23 25 80

  Лит.: Шелихов А. А., Селиванов Ю. П., Вычислительные машины, М., 1973; Единая система ЭВМ, под ред. А. М. Ларионова, М., 1974; Система документации единой системы ЭВМ, под ред. А. М. Ларионова, М., 1975.

  В. Н. Квасницкий.

Электронограф

Электроно'граф, прибор для исследования атомного строения твёрдых тел и газовых молекул с помощью дифракции электронов (см. Электронография ). Э. — вакуумный прибор, его схема аналогична схеме электронных микроскопов . В колонне, основном узле Э., электроны, испускаемые катодом — раскалённой вольфрамовой нитью, разгоняются высоким напряжением (20—1000 кв — быстрые электроны и до 1 кв — медленные электроны). С помощью диафрагм и магнитных линз формируется узкий электронный пучок, который направляется в камеру объектов на исследуемый образец, установленный на специальном столике. Рассеянные электроны попадают в фотокамеру и на фотопластинке (или экране) создаётся дифракционная картина (электронограмма), которую можно рассматривать как визуально, так и с помощью вмонтированного в Э. микроскопа. Э. снабжают различными устройствами для нагревания, охлаждения, испарения образца, для его деформации и т. д.

  Э. включает в себя также вакуумную систему и блок электропитания, который содержит источники накала катода, высокого напряжения, питания электромагнитных линз и различных устройств, расположенных в камере объектов. Питающее устройство обеспечивает изменение ускоряющего напряжения по ступеням (например, в Э. «ЭР-100» 4 ступени: 25, 50, 75 и 100 кв ). Разрешающая способность Э. составляет тысячные доли Ǻ и зависит от энергии электронов, сечения электронного пучка и расстояния от образца до экрана, которое в современных Э. может изменяться в пределах 200—600 мм. В конструкции Э. предусмотрена система непосредственной регистрации интенсивности рассеянных электронов с помощью цилиндра Фарадея или вторичного электронного умножителя открытого типа.

  В приборе, предназначенном для исследования дифракции медленных электронов, требуется поддерживать в колонне вакуум 10-8 —10-9мм рт. ст.

  Лит.: Кушнир Ю. М., Алексеев Н. В., Левкин Н. П., Современные электронографы, «Приборы и техника эксперимента», 1967, № 1; Дворянкин В. Ф., Митягин А. Ю., Дифракция медленных электронов — метод исследования атомной структуры поверхностей, «Кристаллография», 1967, т. 12, в. 6. См. также лит. к ст. Электронография .

  Р. М. Имамов.

Электронография

Электроногра'фия (от электрон и ...графия ), метод изучения структуры вещества, основанный на рассеянии ускоренных электронов исследуемым образцом. Применяется для изучения атомной структуры кристаллов, аморфных тел и жидкостей, молекул в газах и парах. Физическая основа Э. — дифракция электронов (см. Дифракция частиц ); при прохождении через вещество электроны, обладающие волновыми свойствами (см. Корпускулярно-волновой дуализм ), взаимодействуют с атомами, в результате чего образуются отдельные дифрагированные пучки. Интенсивности и пространственное распределение этих пучков находятся в строгом соответствии с атомной структурой образца, размерами и ориентацией отдельных кристалликов и другими структурными параметрами. Рассеяние электронов в веществе определяется электростатическим потенциалом атомов, максимумы которого в кристалле отвечают положениям атомных ядер.

  Электронографические исследования проводятся в специальных приборах — электронографах и электронных микроскопах ; в условиях вакуума в них электроны ускоряются электрическим полем, фокусируются в узкий светосильный пучок, а образующиеся после прохождения через образец пучки либо фотографируются (электронограммы), либо регистрируются фотоэлектрическим устройством. В зависимости от величины электрического напряжения, ускоряющего электроны, различают дифракцию быстрых электронов (напряжение от 30—50 кэв до 1000 кэв и более) и дифракцию медленных электронов (напряжение от нескольких в до сотен в ).

  Э. принадлежит к дифракционным структурным методам (наряду с рентгеновским структурным анализом и нейтронографией ) и обладает рядом особенностей. Благодаря несравнимо более сильному взаимодействию электронов с веществом, а также возможности создания светосильного пучка в электронографе, экспозиция для получения электронограмм обычно составляет около секунды, что позволяет исследовать структурные превращения, кристаллизацию и т. д. С другой стороны, сильное взаимодействие электронов с веществом ограничивает допустимую толщину просвечиваемых образцов десятыми долями мкм (при напряжении 1000—2000 кэв максимальная толщина несколько мкм ).