Большая Советская Энциклопедия (ЭК) - Большая Советская Энциклопедия "БСЭ" - Страница 62

Эксекий. «Мемнон с негром». Фрагмент росписи амфоры. 3-я четв. 6 в. до н. э. Британский музей. Лондон.

Эксекий. «Дионис в ладье». Роспись килика. 3-я четверть 6 в. до н. э. Музей античного малого искусства. Мюнхен.

Эксергия

Эксе'ргия (от греч. ex — приставка, обозначающая здесь высокую степень, и érgon — работа), работоспособность, термин, применяемый в термодинамике для обозначения максимальной работы, которую может совершить система при переходе из данного состояния в равновесие с окружающей средой. Работа, совершаемая системой в каком-либо термодинамическом процессе, оказывается максимальной лишь в том случае, если осуществляемый процесс — равновесный.

Эксетер

Э'ксетер (Exeter), город (административный округ) на Ю.-З. Великобритании. Порт на р. Экс. Административный центр графства Девоншир. 93,3 тыс. жит. (1976). Машиностроение, пищевая промышленность. Университет. Город возник на месте кельтского поселения. От древнеримской эпохи сохранились элементы регулярной планировки, но в целом в исторической части города (за остатками средневековых стен) преобладает беспорядочная застройка. Памятники архитектуры — руины позднероманского замка на холме Рауджмонт (основан в 1068), романо-готическая ратуша (12 в., перестройки 14—16 вв.), готический собор («украшенного стиля», перестроен в 1275—1375 из романской церкви). Мемориальный музей Альберта (собрание керамики и бронзы).

  Лит.: Sharp Т., Exeter phoenix, L., 1946.

Эксетер. Собор. Западный фасад. 1346—75.

Эксикаторы

Эксика'торы, см. в ст. Посуда химическая лабораторная .

Экситон

Эксито'н (от лат. excito — возбуждаю), квазичастица , представляющая собой электронное возбуждение в диэлектрике или полупроводнике, мигрирующее по кристаллу и не связанное с переносом электрического заряда и массы. Представление об Э. было введено в 1931 Я. И. Френкелем . Он объяснял отсутствие фотопроводимости у диэлектриков при поглощении света тем, что поглощённая энергия расходуется не на создание носителей тока, а на образование Э. В молекулярных кристаллах Э. представляет собой элементарное возбуждение электронной системы отдельной молекулы, которое благодаря межмолекулярным взаимодействиям распространяется по кристаллу в виде волны (экситон Френкеля). Э. Френкеля проявляются в спектрах поглощения и излучения молекулярных кристаллов (см. Спектроскопия кристаллов ). Если в элементарной ячейке молекулярного кристалла содержится несколько молекул, то межмолекулярное взаимодействие приводит к расщеплению экситонных линий. Этот эффект, называемый давыдовским расщеплением, связан с возможностью перехода Э. Френкеля из одной группы молекул в другую в пределах элементарной ячейки. Давыдовское расщепление экспериментально обнаружено в ряде молекулярных кристаллов (нафталине, антрацене, бензоле и др.).

  В полупроводниках Э. представляет собой водородоподобное связанное состояние электрона проводимости и дырки (экситон Ванье—Мотта). Энергии связи E * и эффективные радиусы a * Э. Ванье—Мотта можно оценить по формулам Н. Бора для атома водорода, учитывая, что эффективные массы электронов проводимости mэ и дырок mд отличаются от массы свободного электрона mo и что кулоновское взаимодействие электрона и дырки в кристалле ослаблено диэлектрической проницаемостью среды e:

  E*=

эв; (1)

  а * =

 см .

  Здесь

,   ¾ Планка постоянная , е — заряд электрона. Формулы (1) не учитывают влияния сложной зонной структуры кристалла, взаимодействия электронов и дырок с фононами . Однако учёт этих факторов не меняет порядок величин E * и а *. Для Ge, Si и полупроводников типов AIII BV и AII BVIm* ~ 0,1 то , e ~ 10, что приводит к значениям E * ~ 10¾2эв , и а * ~ 10¾6 см. Т. о., энергии связи Э. Ванье — Мотта во много раз меньше, чем энергия связи электрона с протоном в атоме водорода, а радиусы Э. во много раз больше межатомных расстояний в кристалле. Большие значения а* означают, что Э. в полупроводниковых кристаллах — макроскопическое образование, причём структура кристалла определяет лишь параметры m* и E *. Поэтому Э. Ванье — Мотта можно рассматривать как квазиатом, движущийся в вакууме. Искажения структуры кристалла, вносимые Э. или даже большим числом Э., пренебрежимо мало. В кристаллах галогенидов щелочных металлов и инертных газов E * ~ 0,1—1 эв , а* ~ 10¾7— 10¾8 см и образование Э. сопровождается деформацией элементарной ячейки.

  Э. Ванье—Мотта отчётливо проявляются в спектрах поглощения полупроводников в виде узких линий, сдвинутых на величину E * ниже края оптического поглощения. Водородоподобный спектр Э. Ванье — Мотта впервые наблюдался в спектре поглощения Cu2 O, в дальнейшем в др. полупроводниках. Э. проявляются также в спектрах люминесценции , в фотопроводимости, в Штарка эффекте и Зеемана эффекте . Время жизни Э. невелико: электрон и дырка, составляющие Э., могут рекомбинировать с излучением фотона, например в Ge время жизни Э. порядка 10¾5сек. Э. может распадаться при столкновении с дефектами решётки.

  При взаимодействии Э. с фотонами, имеющими частоты w =

, возникают новые квазичастицы — смешанные экситон-фотонные состояния, называемые поляритонами. Свойства поляритонов (например, их закон дисперсии) существенно отличаются от свойств как Э., так и фотонов. Поляритоны играют существ. роль в процессах переноса энергии электронного возбуждения в кристалле, они обусловливают особенности оптических спектров полупроводников в области экситонных полос и др.

  При малых концентрациях Э. ведут себя в кристалле подобно газу квазичастиц. При больших концентрациях становится существенным их взаимодействие. Возможно образование связанного состояния двух Э. — экситонной молекулы (биэкситона). Однако, в отличие от молекулы водорода, энергия диссоциации биэкситона значительно меньше, чем его энергия связи (эффективные массы электронов и дырок в полупроводниках одного порядка).

  При повышении концентрации Э. расстояние между ними может стать порядка их радиуса, что приводит к разрушению Э. Это может сопровождаться возникновением «капель» электронно-дырочной плазмы (см. Электронно-дырочная жидкость ). Образование электронно-дырочных капель в таких полупроводниках, как Ge и Si, сказывается в появлении новой широкой линии люминесценции, сдвинутой в сторону уменьшения энергии фотона. Электронно-дырочные капли обладают рядом интересных свойств: высокой плотностью электронов и дырок при малой (средней по объёму) концентрации, большой подвижностью в неоднородных полях и т.п.