Большая Советская Энциклопедия (УС) - Большая Советская Энциклопедия "БСЭ" - Страница 4

К ст. Усечённая пирамида.

Усечённая призма

Усечённая при'зма, геометрическое тело, отсекаемое от призмы плоскостью, непараллельной основанию. Объём У. п. равен V = lQ, где l – длина отрезка, соединяющего центры тяжести оснований, Q – площадь сечения призмы плоскостью, перпендикулярной к этому отрезку.

Усечённый конус

Усечённый ко'нус, геометрическое тело, отсекаемое от круглого конуса плоскостью, параллельной основанию (рис. ). Объём У. к. равен

, где r1 и r2 – радиусы оснований, h – высота.

К ст. Усечённый конус.

Усечённый цилиндр

Усечённый цили'ндр, геометрическое тело, отсекаемое от цилиндра плоскостью, непараллельной основанию. Объём круглого У. ц. равен

, где h1 и h2 – наибольший и наименьший отрезки образующей цилиндра, r – радиус основания цилиндра.

Уси

Уси', город в Китае, в провинции Цзянсу. 650 тыс. жителей (1970). Пристань на Великом канале; ж.-д. станция. Один из важнейших текстильных центров страны (хлопчато-бумажные, шёлковые, шерстяные ткани). Машино-строительная, химическая, пищевая (рисоочистка, мукомольная, маслообрабатывающая, чаеобрабатывающая) промышленность. Добыча угля и чёрная металлургия.

Усиевич Григорий Александрович

Усие'вич Григорий Александрович [6(18).9.1890, Тамбов, – 9.8.1918, с. Горки, ныне Камышловского района Свердловской обл.; похоронен в поселке Красногвардейском Свердловской обл.], деятель революционного движения в России. Член Коммунистической партии с 1907. Родился в семье купца. С 1907 учился в Петербургском университете. В 1908 член Петербургского комитета РСДРП. В 1909 арестован, в 1911 сослан в Енисейскую губернию. Сотрудничал в большевистских журналах «Просвещение» и газете «Правда» . В 1914 бежал из ссылки, эмигрировал в Австрию, где был арестован и заключён в концлагерь. С конца 1915 жил в Швейцарии. После Февральской революции 1917 возвратился в Россию вместе с В. И. Лениным. С апреля 1917 член Московского комитета РСДРП (б), член Исполкома Моссовета, большевистской фракции Городской думы. Делегат 6-го съезда РСДРП (б). В октябрьские дни 1917 член оперативного штаба, занимавшегося военно-техническими делами, член Московского ВРК. В марте 1918 направлен в Западную Сибирь для организации снабжения хлебом Москвы. С мая 1918 член Военно-революционного штаба в Омске, с июня – председатель Революционного штаба в Тюмени. Погиб в бою.

  Лит.: Герои Октября, М., 1967; Рощевский П. И., Никифорова М. М., Г. А. Усиевич, в сборнике: Сквозь грозы, Свердловск, 196.7.

Г. А. Усиевич.

Усиевич Елена Феликсовна

Усие'вич Елена Феликсовна [20.2(4.3).1893, Якутск, – 15.1.1968, Москва], советский литературный критик. Член КПСС с 1915. Дочь Ф. Я. Кона , жена Г. А. Усиевича . Участница Октябрьской революции 1917 и Гражданской войны 1918–20. Окончила институт красной профессуры (1932). Печаталась с 1928. Автор книг «Владимир Маяковский» (1950), «Ванда Василевская» (1953); «Пути художественной правды» (1958), многих статей по вопросам советской литературы.

Усики

У'сики 1) в зоологии – то же, что антенны . 2) В ботанике У. (cirrhi) – органы лазящих растений, обычно нитевидные, служащие для прикрепления к др. растениям или иным предметам. У. – результат метаморфоза побегов, листьев или их частей, иногда ветвей соцветий или воздушных корней. У. обвиваются вокруг предметов и спирально закручиваются (см. Гаптотропизм ), иногда на концах У. развиваются особые дисковидные присоски. У. обычны у лиан, в том числе у винограда, тыквенных и др.

Усиление конструкций

Усиле'ние констру'кций зданий и сооружений, повышение несущей способности конструкций существующих зданий (сооружений) или их отдельных частей. Необходимость в У. к. обычно возникает в тех случаях, когда в результате увеличения нагрузок или появления недопустимых дефектов в несущих конструкциях последние перестают удовлетворять требованиям нормальной эксплуатации. У. к. нередко оказывается экономически более целесообразным, чем строительство нового здания (сооружения). Иногда У. к. вызывается и др. соображениями, например необходимостью сохранения зданий, имеющих историческую или архитектурную ценность. У. к.. производят, как правило, посредством увеличения сечений элементов или изменения схемы конструкции. Методы У. к. определяются видом и материалом конструкций, а также необходимой степенью увеличения их несущей способности. В некоторых случаях производится усиление оснований и фундаментов, которое обычно связано с надстройкой существующих зданий или увеличением действующих на них эксплуатационных нагрузок.

Усиление ультразвука

Усиле'ние ультразву'ка в полупроводниках (дрейфом носителей тока), явление, состоящее в том, что проходящая по кристаллу полупроводника ультразвуковая волна усиливается, когда скорость дрейфа носителей тока в направлении волны превысит фазовую скорость последней. Физическую природу У. у. проще всего понять на примере кристалла полупроводника, обладающего пьезоэлектрическим эффектом, – т. н. пьезополупроводника (см. Пьезоэлектричество ). Вследствие пьезоэффекта проходящая по кристаллу упругая волна сопровождается электрическим полем, которое взаимодействует с носителями тока в полупроводнике – электронами и дырками . Это приводит к их перераспределению в пространстве и образованию области с повышенной концентрацией носителей – пространственного объёмного заряда. Если при этом к образцу приложено электрическое поле Ed , создающее дрейф объёмного заряда со скоростью большей, чем фазовая скорость упругой волны с , то носители тока, обгоняя волну, будут отдавать ей энергию, в результате чего произойдёт усиление ультразвуковой волны. Аналогичный процесс происходит в лампе бегущей волны. В полупроводниках, не обладающих пьезоэффектом, взаимодействие упругой волны с носителями тока осуществляется через деформационный потенциал, т. е. непосредственно через взаимодействие электронов с фононами , которое характеризует изменение энергии электрона в зоне проводимости под действием упругой деформации решётки. Сила, действующая на электрон со стороны деформированной решётки, пропорциональна квадрату частоты волны w, поэтому У. у. в обычных полупроводниках эффективно только на гиперзвуковых частотах w > 109гц (см. Гиперзвук ).

  На малых частотах, когда длина свободного пробега носителей тока l много меньше длины ультразвуковой волны l, У. у. обусловлено объёмным зарядом, т. е. сверхзвуковым движением локального «сгустка» носителей тока одного знака, образованного самой волной; если же l/ l>>1 – электроны (или дырки) почти свободны, образование объёмного заряда не происходит и усиление обусловлено когерентным излучением фононов отдельными носителями тока (подобно пучковой неустойчивости в газоразрядной плазме ).